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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

WKN 930124 | ISIN US6821891057 |  Aktie
Factsheet
29.05.25 22:00
Bid: 42,6000 USD  Size: 800  |  Ask: 42,7300 USD  Size: 600
42,9400 USD  +0,22 % (+0,0950)
NASDAQ Cboe US TradeGate Xetra Frankfurt Stuttgart München Berlin Düsseldorf Baader Bank (Baadex) Lang & Schwarz Hannover
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Aktuelle Entwicklung

Basisinformationen

Eröffnung 43,7300
Schluss 28.05.25 42,8450
Tagestief 42,6100
Tageshoch 44,1100
Vol. (USD) 147,54 Mio.
Vol. Stk. 4.847.474
Preisfeststellung 19.601

Marktnachrichten

23.05.25 ROUNDUP/Aktien New York Schluss: Verluste eingedämmt trotz US-Zolldrohungen
23.05.25 Aktien New York: Minus schrumpft - US-Zolldrohungen verlieren ihren Schrecken
23.05.25 ROUNDUP/Aktien New York: Überschaubare Verluste nach neuen US-Zolldrohungen
11.04.25 Aktien New York: Positiver Ausklang turbulenter Woche
11.04.25 ROUNDUP/Aktien New York: Verschnaufpause nach turbulenter Woche

Performance

Zeitraum ON Semiconductor
1 Monat +8,16 %
1 Jahr -40,45 %
3 Jahre -29,77 %
5 Jahre +160,40 %
52W Hoch (16.07.24):
78,7400 USD
52W Tief (08.04.25):
31,9500 USD

Handelsplätze

Name Aktuell Zeit Vol. Stk.
NASDAQ 42,94 USD 29.05.25 4,85 Mio.
Cboe US 42,95 USD 29.05.25 245,36 Tsd.
TradeGate 37,71 EUR 29.05.25 493
Xetra 38,13 EUR 29.05.25 400
Berlin 39,31 EUR 29.05.25 0

Letzte Umsätze

Zeit Vol. Stk. Kurs
29.05.25 22:00:00 704,20 Tsd. 42,9400
29.05.25 21:59:59 100 42,9350
29.05.25 21:59:59 151 42,9300
29.05.25 21:59:59 100 42,9300
29.05.25 21:59:59 100 42,9300

Enthalten in Fonds

Name Rücknahmepreis Perf. 1J Anteil
DNB Fund - Renewable Energy Retail A EUR 184,97 EUR -18,05 % 3,70 %
Neuberger Berman Next Generation Mobility Fund EUR A Accumulating 14,68 EUR -6,97 % 3,15 %

Fundamentaldaten

Geschäftsjahresende: 31.12.
Zeitraum 2024/25 2024 2023
Gewinn pro Aktie - 3,68 5,07
Dividende pro Aktie - - -
KGV 11,51 16,89 16,35
KBV 2,05 3,01 4,58
Marktkapitalisierung Mrd. 17,94 26,57 35,69

Firmenprofil

ON Semiconductor ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz in Phoenix, Arizona.

Firmenprofil im Detail

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